㈠ sk海力士是哪個國家的
SK hynix公司（中文簡稱：SK海力士）是一家半導體製造商，世界第二大內存晶元製造商，成立於1983年2月，總部位於韓國京畿道[1]。
公司原名為現代內存，於1996年上市，2012年被韓國第三大財閥SK集團收購部分股份後，更名為SK hynix。
2019年2月，公司已提交了投資意向書，計劃在韓國建設一個半導體工業區。公司計劃在2022年之後的10年裡投資120萬億韓元（1066.6億美元），在首爾以南40公里的龍仁市新工業區建設四座晶圓廠。[2]
2013年11月15日海力士在無錫增資25億美元，此次簽約的五期項目將從29納米提升至25納米級,並爭取提升 至10納米級,預計到2016年完成該項技術升級。
2013年09月4日下午3:30左右，無錫Hynix廠房起火，原因未知。
2012年02月韓國第三大財閥SK集團入主Hynix，更名SKhynix。
2009年05月 成立中國無錫市後續工程合作社
04月 世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
03月 世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證
02月世界最先開發44nm DDR3 DRAM
01月 世界最先獲得關於以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證。
2008年 12月 世界最先開發2Gb Mobile DRAM
11 月引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
08月 清州第三工廠的300mm組裝廠竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm 技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM
為引進嶄新而創新性NAND快閃記憶體存儲器產品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大
05月 與ProMOS公司簽署關於加強長期戰略性合作的修改案
04月 為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU理事會的措施表示歡迎開發出世界最高速Mobile LPDDR2
02月 引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
㈡ 海力士跟現代是什麼關系啊
你好哥們，是說內存品牌吧，現代2001年更名為海力士，以哥們的理解就是現代（半導體公司）內存品牌名稱更名為海力士（半導體公司）內存品牌，所以時下我們仍可見到海力士內存採用HY（現代內存顆粒原名），所以說它們的關系就是一個公司的，只是隨著時間更名了一次，現在是海力士名稱了，謝謝！
㈢ hynix是什麼牌子
Hynix是海力士晶元生產商，源於韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現代內存，2001年更名為海力士。海力士半導體是世界第三大DRAM製造商，也在整個半導體公司中占第九位。
海力士半導體（中國）有限公司是由全球半導體領頭企業之一的韓國SK海力士株式會社於2005年4月投資設立的半導體製造工廠，主要生產12英寸半導體集成電路晶元，應用范圍涉及個人電腦、伺服器、移動存儲等領域。
海力士半導體（中國）有限公司在錫進行了多次增資及技術升級，累計投資額達105億美元。公司一直致力於打造世界第一的半導體生產基地，與此同時，認真履行企業的社會職責，積極參與公益事業，為社會謀求福利。
(3)sk海力士的股票代碼擴展閱讀：
產品介紹
2008年11月，SK海力士發表了1Gb GDDR5 Graphics DRAM。新發表的1Gb GDDR5是以SK海力士的54nm處理技術為基礎所開發的產品。
1Gb GDDR5 實現了7Gbps的速度或28GB/s的處理量，較5Gbps的66nm GDDR5改善了40%，與此同時， 1Gb GDDR5利用1.35V的觀點裝置，在設計上將耗電量降低。SK海力士還支援高性能及主流市場用GDDR3、DDR3、DDR2產品。
SK海力士的DDR3 SDRAM屬於高性能，低耗電量產品。DDR3 SDRAM能夠以最大1.6Gb/s的速度傳送數據，運行電壓為1.5V。目前，SK海力士提供具有1Gb及2Gb集成度高的高性能DDR3，4Gb產品已於2012年投入量產
㈣ 什麼是sk韓國的sk集團是幹嘛的
一、SK是韓國第三大跨國集團企業，在2019年時成功進入福布斯全球百強。
二、韓國sk集團主要從事韓國能源化工、信息通信兩方面的行業。1983年在國外開發油田，讓韓國進入了石油產國的行列。
1989年在美國經營行動電話事業。在韓國國內成立YC&C、鮮京信息系統、鮮京流通、大韓電信等公司。擁有了跨越無線、互聯網、ICP領域的事業能力，等技術投資。
1996年，SK首次成功實現了CDMA的商用，並首次推廣2.5代CDMA 2000 1X服務和3代同步方式IMT-2000等移動通信。
(4)sk海力士的股票代碼擴展閱讀：
SK及其附屬機構在全球擁有 30,000 多名員工、124 個辦事處和子公司。世界五百強排名第57位，年銷售收入808億美元。
在2013年《財富》雜志的全球500強排名上，SK位居第57位。SK集團的中國事業始於1992年中韓建交之前。SK在中國員工超過1萬人，業務區域遍布全國約40個地區。
在能源領域，SK是韓國最大的綜合能源化工企業。蔚山煉油廠擁有每年4200萬噸原油加工能力，是全球同行業最大的單一煉油工廠之一。
SK在節能、環保、運營方面的管理技術得到國際同行的認可，多年來連續被世界煉油業權威評估機構索羅門評為全球石化行業效率最高的企業。
SK的前身為1953年成立的鮮京織物。SK三次巨大的飛躍過程。第一次是1953年至60年代，SK經歷了由織物跨越到了聚酯原絲的生產。
第二次是70年代到80年代，SK完成了從石油到纖維的縱向整合。90年代進軍通信信息行業，應該是SK的第三次飛躍。
旗下企業
SK新技術、SK能源、SK綜合化學、SK Iubricants、SK化工、SKC、SK匯能、SK燃氣、SK潤滑油
SK電訊、SK C&C、SK Planet、SK海力士、SK broadband、SK telesys、SK telink、SK實業、
SK建設、SK海運、SK證券、SK M&C、SK中國、SK置業發展狀況。
參考資料：網路——韓國SK集團
㈤ 海力士的發展過程
2013年11月15日海力士在無錫增資25億美元，此次簽約的五期項目將從29納米提升至25納米級,並爭取提升 至10納米級,預計到2016年完成該項技術升級。
2013年09月4日下午3:30左右，無錫Hynix廠房起火，原因未知。
2012年02月韓國第三大財閥SK集團入主Hynix，更名SKhynix。
2009年05月 成立中國無錫市後續工程合作社
04月 世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
03月 世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證
02月世界最先開發44nm DDR3 DRAM
01月 世界最先獲得關於以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證。
2008年 12月 世界最先開發2Gb Mobile DRAM
11 月引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
08月 清州第三工廠的300mm組裝廠竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm 技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM
為引進嶄新而創新性NAND快閃記憶體存儲器產品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大
05月 與ProMOS公司簽署關於加強長期戰略性合作的修改案
04月 為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU理事會的措施表示歡迎開發出世界最高速Mobile LPDDR2
02月 引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
01月 簽署關於在對下一代不揮發性存儲器技術的共同R&D程序上進行合作的合同
2008年發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證
2007年12月成功發行國際可兌換券(global convertible notes)
11月WTO做出判決海力士進口晶元相關報復性關稅一案，日本敗訴。與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協議，獲得對 1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證，業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM
10月與Ovonyx公司簽署關於PRAM的技術及許可證合同與環境運動聯合(韓國)簽署關於在環境管理上進行合作的合同
09月以24層疊晶元(stacked chips)，世界最先開發NAND快閃記憶體MCP
08月開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
07月發表企業中長期總體規劃
05月業界最先獲得關於DDR3 DRAM的英特爾產品認證
04月DOC H3開始大量生產在韓國清州300mm設施開工實現最高水平的營業利潤率
03月開發出世界最高速ECC Mobile DRAM發表「生態標記(ECO Mark)」與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同
與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協議及簽署關於對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)金鍾甲就任新任 代表理事、社長
01月開發出以「晶圓級封裝(Wafer Level Package)」技術為基礎的超高速存儲器模塊
2006年創下最高業績及利潤
2006年12月業界最先發表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎模塊，開發出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
10月創下創立以來最高業績，通過海力士ST半導體(株)的竣工，構建國際性生產網路
09月300mm研究生產線下線
03月業界最先獲得英特爾對80nm 512Mb DDR2 DRAM的產品認證
01月發表與M-Systems公司的DOC H3共同開發計劃(快閃記憶體驅動器內置的新型DiskOnChip)
2005年12月 世界最先開發512Mb GDDR4、業界最高速度及最高密度Graphics DRAM
11月 業界最先推出JEDEC標准8GB DDR2 R-DIMM
07月 提前從企業重組完善協議中抽身而出
04月 海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮
03月 發布2004年財務報表，實現高銷售利潤
01月 與台灣茂德科技簽訂戰略性合作夥伴協議
2004年11月 與意法半導體公司（STMicroelectronics)簽訂關於在中國合資建廠的協議
08月 與中國江蘇省無錫市簽訂關於在中國建廠合作協議
07月 獲得公司成立以來最大的季度營業利潤
06月 簽訂非內存事業營業權轉讓協議
03月 行業首次開發超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認證
02月 成功開發NAND快閃記憶體
2003年12月 宣布與PromMOS簽署長期的戰略性MOU
08月 宣布發表在DRAM行業的第一個1Gb DDR2問世。
07月 宣布在世界上首次發表DDR500
06月 512M DDR400產品在DRAM業內首次獲得因特爾的認證
05月 採用0.10微米工藝技術投入生產，超低功率256Mb SDRAM投入批量生產
04月 宣布與STMicroelectronics公司簽定協議合作生產NAND快閃記憶體
03月 發表世界上第一個商用級的mega-level FeRAM
2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD業務部門
10月 開發0.10微米、512MB DDR
08月 在世界上首次開發高密度大寬頻256MB的DDR SDRAM
06月 在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運用於高終端客戶
03月 開發1G DDR DRAM模塊
2001年08月 開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
08月 完成與現代集團的最終分離
07月 剝離CDMA移動通信設備製造業務『Hyundai Syscomm』
05月 剝離通信服務業務『Hyundai CuriTel』
剝離網路業務『Hyundai Networks』
03月 公司更名為「Hynix半導體有限公司」
2000年08月 剝離顯示屏銷售業務『Hyundai Image Quest』
04月 剝離電子線路設計業務『Hyundai Autonet』
1999年10月 合並LG半導體有限公司，成立現代半導體株式會社
03月 出售專業的半導體組裝公司（ChipPAC）
1998年09月 開發64M的DDR SDRAM
1997年05月 在世界上首次開發1G SDRAM
1996年12月 公司股票上市
1989年11月 完成FAB III
09月 開發4M的DRAM
1988年11月 在歐洲當地設立公司（HEE）
01月 開發1M的DRAM
1986年06月 舉行第一次員工文化展覽會「Ami Carnical」
04月 設立半導體研究院
1985年10月 開始批量生產256K的DRAM
1984年09月 完成FAB II-A
1983年02月創立現代電子株式會社，公司概要展望商業領域主要歷程可持續經營，持續經營報告書倫理經營，倫理經營宣言倫 理綱領組織介紹實踐體系產業保安方針在線舉報公司標志
㈥ 長鑫存儲股票代碼是什麼
經查詢，該企業為有限責任公司，未進行過股改，即沒有上市，且在可以預見的一兩年間不具備上市條件。查詢上市公司的股票代碼，登陸證券類網站進行查詢即可。查詢時股票XD表示股票除息，股票XD表示從當日買帶有XD字樣的股票，自當日起不會再享有派息的權利。一個公司的股票估值，可以認為跟是否上市沒有關系，該值多少錢，還是多少錢，上市只是增加了流動性。況且牛市會溢價，熊市會負溢價。股票代碼前需加上XD字樣，股票XD是Ex-Dividend的縮寫，股票XD表示股票除息，股票XD表示從當日買帶有XD字樣的股票，自當日起不會再享有派息的權利。在股票除息日的當天，股價的基準價要比前一個交易日的收盤價要低，原因是從中扣除了利息這一部分的差價。
拓展資料：
1、長鑫存儲技術有限公司公布其最新的DRAM技術路線圖，將採用19nm工藝生產4Gb和8GbDDR4，長鑫月產能約為2萬片，規劃到2020年底晶圓月產能將達12萬片。另外，長鑫存儲計劃再建兩座DRAM晶圓廠。從長鑫存儲DRAM技術發展的路線規劃來看，其研發的產品線包括DDR4，LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6，產品發展線路與三星、SK海力士、美光等國際大廠DRAM發展大體一致。天風證券潘_認為，5G的快速發展為半導體行業帶來巨大發展機遇，車用半導體、IoT和攝像頭帶來新增長點。另外，整機廠商供應鏈的國產化，也為半導體產業帶來市場空間。
2、長鑫存儲技術有限公司於2017年11月16日成立。法定代表人趙綸,公司總部在合肥，公司經營范圍包括：存儲技術服務；集成電路設計、製造、加工、技術開發、技術轉讓、技術咨詢、技術服務、技術培訓及技術檢測；電子產品銷售並提供售後服務及技術服務；半導體集成電路晶元研發、設計、委託加工、銷售；計算機軟硬體及網路軟硬體產品的設計、開發；計算機軟硬體及輔助設備、電子元器件、通訊設備的銷售；設備、房屋租賃；產業並購；股權投資；自營和代理各類商品和技術的進出口業務（但國家限定企業經營或禁止進出口的商品和技術除外）等。
㈦ skhynix是什麼牌子
skhynix是SK海力士半導體(中國)有限公司，SKHynix的內存晶元是知名品牌。
半導體指常溫下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料。
半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極體就是採用半導體製作的器件。
無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品，如計算機、行動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關聯。
常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導體材料應用中最具有影響力的一種。
介紹：
物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性差的材料，如煤、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱為絕緣體。而把導電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介於導體和絕緣體之間的材料稱為半導體。
與導體和絕緣體相比，半導體材料的發現是最晚的，直到20世紀30年代，當材料的提純技術改進以後，半導體的存在才真正被學術界認可。
㈧ SK海力士半導體（中國）有限公司怎麼樣
簡介：SK海力士半導體（中國）有限公司於2005-04-26在無錫市新吳區市場監督管理局登記成立。法定代表人朴星昱（PARKSUNGWOOK），公司經營范圍包括生產、加工和銷售8英寸和12英寸集成電路晶元等。
法定代表人：朴星昱（PARK SUNG WOOK）
成立時間：2005-04-26
注冊資本：294586萬美元
工商注冊號：320200400012736
企業類型：有限責任公司(外國法人獨資)
公司地址：中國江蘇省無錫高新區綜合保稅區K7地塊
㈨ 晶元材料龍頭股票有哪些
1、江化微：公司G3等級硫酸、過氧化氫、異丙醇、低張力二氧化硅蝕刻液、鈦蝕刻液成功進入國內6寸晶圓、8寸先進封裝凸塊晶元生產線，實現進口替代。公司在上述領域取得了先發優勢，為公司帶來一定的價格優勢和更多業務機會。
2、鼎龍股份：2017年12月19日消息，鼎龍股份CMP拋光墊已進入客戶供應體系，據了解，CMP拋光墊是晶圓製造的關鍵材料，較為廣泛地應用於集成電路晶元、藍寶石晶元等加工領域。
3、北方華創：公司從事基礎電子產品的研發、生產、銷售，主要產品為大規模集成電路製造設備、混合集成電路及電子元件。公司做為承擔國家電子專用設備重大科技攻關任務的骨幹企業，是目前國內唯一一傢具有8英寸立式擴散爐和清洗設備生產能力的公司。公司的戰略定位是以集成電路製造工藝技術為核心，不斷培育集成電路裝備的競爭能力，向集成電路、太陽能電池、TFT-LCD和新型電子元器件等領域作產品拓展。
4、有研新材：2019年9月17號公司在互動平台稱：公司在晶元材料的國產化替代及前沿新材料的研發方面與華為開展合作。
5、雅克科技：2017年10月18日晚發布公告稱，公司擬以發行股份的方式，收購成都科美特特種氣體有限公司90%股權、江蘇先科半導體新材料有限公司84.825%股權，交易總對價為24.67億元。通過此次收購，雅克科技有望納入韓國UPChemical公司。資料顯示，江蘇先科於2016年6月由雅克科技出資1000萬元設立，本身無經營業務，是為收購韓國UPChemical公司股權所搭建的收購平台。去年底，江蘇先科已完成了韓國UPChemical公司96.28%股份的收購。韓國UPChemical公司成立於1998年，主要從事生產專業化、高附值的旋塗絕緣介質和半導體材料前驅體這一細分領域。主要下游為半導體存儲器晶元，其Hi-K等半導體材料領域占據全球領先地位。產品主要供應於SK海力士、三星電子等知名半導體企業。