Ⅰ 晶元是怎麼做成的
晶元內部製造工藝：
晶元製造的整個過程包括晶元設計、晶元製造、封裝製造、測試等。晶元製造過程特別復雜。
首先是晶元設計，根據設計要求，生成「圖案」
1、晶片材料
矽片的成分是硅，硅由石英砂精製而成。矽片經硅元素（99．999％）提純後製成硅棒，成為製造集成電路的石英半導體材料。晶元是晶元製造所需的特定晶片。晶圓越薄，生產成本就越低，但對工藝的要求就越高。
2、晶圓塗層
晶圓塗層可以抵抗氧化和溫度，其材料是一種光致抗蝕劑。
3、晶圓光刻顯影、蝕刻
首先，在晶圓（或基板）表面塗覆一層光刻膠並乾燥。乾燥的晶片被轉移到光刻機上。通過掩模，光將掩模上的圖案投射到晶圓表面的光刻膠上，實現曝光和化學發光反應。曝光後的晶圓進行二次烘烤，即所謂曝光後烘烤，烘烤後的光化學反應更為充分。
最後，顯影劑被噴在晶圓表面的光刻膠上以形成曝光圖案。顯影後，掩模上的圖案保留在光刻膠上。糊化、烘烤和顯影都是在均質顯影劑中完成的，曝光是在平版印刷機中完成的。均化顯影機和光刻機一般都是在線操作，晶片通過機械手在各單元和機器之間傳送。
整個曝光顯影系統是封閉的，晶片不直接暴露在周圍環境中，以減少環境中有害成分對光刻膠和光化學反應的影響。
4、添加雜質
相應的p和n半導體是通過向晶圓中注入離子而形成的。
具體工藝是從矽片上的裸露區域開始，將其放入化學離子混合物中。這個過程將改變摻雜區的傳導模式，使每個晶體管都能打開、關閉或攜帶數據。一個簡單的晶元只能使用一層，但一個復雜的晶元通常有許多層。
此時，該過程連續重復，通過打開窗口可以連接不同的層。這與多層pcb的製造原理類似。更復雜的晶元可能需要多個二氧化硅層。此時，它是通過重復光刻和上述工藝來實現的，形成一個三維結構。
5、晶圓
經過上述處理後，晶圓上形成點陣狀晶粒。用針法測試了各晶粒的電學性能。一般來說，每個晶元都有大量的晶粒，組織一次pin測試模式是一個非常復雜的過程，這就要求盡可能批量生產相同規格型號的晶元。數量越大，相對成本就越低，這也是主流晶元設備成本低的一個因素。6、封裝
同一片晶元芯可以有不同的封裝形式，其原因是晶片固定，引腳捆綁，根據需要製作不同的封裝形式。例如：DIP、QFP、PLCC、QFN等，這主要取決於用戶的應用習慣、應用環境、市場形態等外圍因素。
6、測試和包裝
經過上述過程，晶元生產已經完成。這一步是測試晶元，去除有缺陷的產品，並包裝。
(1)晶元製造過程圖解擴展閱讀：
晶元組是一組集成電路「晶元」一起工作，並作為產品銷售。它負責將計算機的核心微處理器與機器的其他部件連接起來。它是決定主板級別的重要組件。過去，晶元組是由多個晶元組成，逐漸簡化為兩個晶元。
在計算機領域，晶元組通常是指計算機主板或擴展卡上的晶元。在討論基於英特爾奔騰處理器的個人電腦時，晶元組這個詞通常指兩種主要的主板晶元組：北橋和南橋。晶元組製造商可以，而且通常是獨立於主板的。
例如，PC主板晶元組包括NVIDIA的NFORCE晶元組和威盛電子公司的KT880，它們都是為AMD處理器或許多英特爾晶元組開發的。
單晶元晶元組已經推出多年，如sis 730。
Ⅱ 晶元是怎樣製成的
晶元是一個約定俗成的說法，它將微處理器和一些其他裝置通過集成電路集成在一小塊電路板上而構成的計算機的核心部分。
以前的電路都是由分立的元件聯結在一起的電路。晶體管發明之後，1961年發明了集成電路。這是電路設計的一場革命。它把整個晶體管電路的各個元件之間的相互聯結，同時製做在一塊半導體基片上，組成一個不可分割的整體，打破了原有電路的概念，打破了原有分立元件的設計方法，實現了材料、元件、電路的統一。
晶元
Ⅲ 晶元的研發到底有多難，它是如何被製造出來的
他是由我們偉大的科技研究出來的。在過去的 40 年裡，我國發生了巨大的變化。無論在哪個方面，由於在各個領域都取得了許多突破，我個人將介紹在一些關鍵領域取得的巨大成就。說到中國的輝煌成就，我們首先想到的是太空領域。近幾十年來，我們中國是第一次在天步飛行的國家，而且第一次月球探索和第一個國際空間站的建設。
盡管我們在最近幾十年取得了巨大的成就，但是，我們仍然不能自滿，因為在一些領域，特別是核心領域，我們仍然落後和受制於其他領域。最典型的領域是晶元領域。許多人可能會認為，我們國家都可以製造導彈、核武器、航天器和大型飛機等復雜而先進的大型物體，但令人難以置信的是，我們不能製造小晶元。
Ⅳ 晶元是如何製造的
晶元製作完整過程包括晶元設計、晶片製作、封裝製作、成本測試等幾個環節，其中晶片片製作過程尤為的復雜。
首先是晶元設計，根據設計的需求，生成的「圖樣」
1，晶元的原料晶圓
晶圓的成分是硅，硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅製成硅晶棒，成為製造集成電路的石英半導體的材料，將其切片就是晶元製作具體需要的晶圓。晶圓越薄，成產的成本越低，但對工藝就要求的越高。
2，晶圓塗膜
晶圓塗膜能抵抗氧化以及耐溫能力，其材料為光阻的一種，
3，晶圓光刻顯影、蝕刻
該過程使用了對紫外光敏感的化學物質，即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到晶元的外形。在硅晶片塗上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會溶解。這是可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了，而這效果正是我們所要的。這樣就得到我們所需要的二氧化硅層。
4、攙加雜質
將晶圓中植入離子，生成相應的P、N類半導體。
具體工藝是是從矽片上暴露的區域開始，放入化學離子混合液中。這一工藝將改變攙雜區的導電方式，使每個晶體管可以通、斷、或攜帶數據。簡單的晶元可以只用一層，但復雜的晶元通常有很多層，這時候將這一流程不斷的重復，不同層可通過開啟窗口聯接起來。這一點類似所層PCB板的製作製作原理。更為復雜的晶元可能需要多個二氧化硅層，這時候通過重復光刻以及上面流程來實現，形成一個立體的結構。
5、晶圓測試
經過上面的幾道工藝之後，晶圓上就形成了一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。一般每個晶元的擁有的晶粒數量是龐大的，組織一次針測試模式是非常復雜的過程，這要求了在生產的時候盡量是同等晶元規格構造的型號的大批量的生產。數量越大相對成本就會越低，這也是為什麼主流晶元器件造價低的一個因素。
6、封裝
將製造完成晶圓固定，綁定引腳，按照需求去製作成各種不同的封裝形式，這就是同種晶元內核可以有不同的封裝形式的原因。比如：DIP、QFP、PLCC、QFN等等。這里主要是由用戶的應用習慣、應用環境、市場形式等外圍因素來決定的。
7、測試、包裝
經過上述工藝流程以後，晶元製作就已經全部完成了，這一步驟是將晶元進行測試、剔除不良品，以及包裝。