❶ 中國有了5nm的光刻機為什麼還要進口14nm光刻機
各有各的用途，製造成本不同。
❷ 我國的光刻機5納米生產技術要多久才能突破
月初一條「中科院5nm激光光刻技術突破」的新聞火了，在很多無良自媒體的口中這則新聞完全變了味，給人的感覺像是中國不久將會擁有自己的5nm光刻機，其實真實情況完全不是一回事。下面我們就來談談這則新聞真實的內容到底是什麼，以及中國光刻機5nm生產技術還要多久才能取得突破。
中國和荷蘭ASML的差距最起碼也在十年以上現在國內最好的光刻機生產企業應該是上海微電子，目前生產的最好光刻機也只是90nm的製程。盡管有傳言說上海微電子明年將會推出28nm的全新光刻機，但是和ASML的EUV光刻機精度依舊相差甚遠。中國想要生產5nm的光刻機有一個最大的難點，就是自主研發。這不光意味著我們需要跨越從28nm到5nm這個巨大的障礙，並且在突破的過程中最好不要使用其他國家的專利，只能發展出一條屬於自己的光刻機道路。需要達成這么多的條件，研發的難度可想而知。總的來說短時間內我國的光刻機技術取得重大突破的概率為0，還是要被人牽著鼻子走。落後就要被挨打卡脖子在任何時候都是真理，只希望我們國家的科研人員能夠迎頭趕上，盡快取得突破吧。
❸ 5nm激光光刻技術，是否預示著我們即將能取代ASML
5nm激光光刻技術，這只是一種停留在理論階段的技術，並沒有預示著我們即將能取代ASML。
最近ASML拒絕向中芯國際交付最新的光刻機，以及美國制裁華為一事，在網上引發了極大的熱議，這也讓很多中國人明白了一個道理，只有掌握了核心科技，才能不受制於人。今日，中科院5nm激光光刻技術的研究發布以後，很多人都為之歡呼，認為我們即將能取代ASML。那麼，事實真的如此嗎？答案當然是否定的。
然後，這篇論文中的方法是通過使用新型 5 nm 超高精度激光光刻加工方法。然而，論文中並沒有論證方法的可行性，至於在現實中是否可行，我們仍然不得而知，一些國內的媒體聽風就是雨，也實在是有些可笑。一台光刻機由80000個精密零部件構成，如德國蔡司的光學鏡頭、美國的激光發生器，這些都是目前我們中國目前無法製造出來的。我國的光刻機技術難以突破，不僅是激光光刻加工的方法上，還有其他各種零件的限制，單晶爐，晶圓劃片機，光刻膠，電子級多晶硅，氟聚醯亞胺等等，這些都是被國外壟斷的東西，由於其他國家的封鎖，中國想要獲得這些東西，並不容易，畢竟中國還沒有能力製造出這些東西。
總而言之，5nm激光光刻技術，並沒有預示著我們即將能取代ASML。
❹ 中國突破光刻機意味著什麼
光電所微細加工光學技術國家重點實驗室研製出來的SP光刻機是世界上第一台單次成像達到22納米的光刻機，結合多重曝光技術，可以用於制備10納米以下的信息器件。這不僅是世界上光學光刻的一次重大變革，也將加快推進工業4.0，實現中國製造2025的美好願景。
在技術方面，ASML光刻機可以使用波長為13.5納米的極紫外光(EUV)，實現14納米、10納米、和7納米製程的晶元生產，而通過技術升級，也可以實現9納米，8納米，6納米，5納米，4納米乃至3納米等製程的晶元生產。據悉，台積電購買了ASML的兩台NXE 3300B(後來在ASML的幫助下升級到與NXE 3350B相同的技術水平)，三星也從ASML采購EUV設備，NXE 3350B和最新的NXE3400光刻機，英特爾同時也采購了數台NXE 3350B。而且NXE 3350B EUV極紫外光刻機主要被用來進行7nm的相關測試和試產。在今年4月，台積電就已經開始代加工其7nm製程的晶元產品，三星在近期推出8nm製程的產品，而英特爾可能生產10nm工藝的產品。從中可以看出，ASML的EUV光刻機成為了他們能否快速實現更低納米製程量產計劃的基礎和關鍵，不管三星、英特爾、台積電圍繞著具體製程工藝如何去競爭，ASML終究是背後最大霸主，最大贏家，因為他們誰都離不開他的EUV光刻機。
❺ 2000萬一台，這才是國之重器，台積電5nm的必需設備，什麼情況
在半導體行業中，如果一家公司想占據領先地位，則技術，材料和設備這三個關鍵因素必不可少，如果只有技術而沒有材料和設備的支持，那麼這只是紙上談兵，反之亦然，毫無疑問，著眼於著名的晶元巨頭，他們在這三個方面都有發言權，因此他們可以佔領大部分市場，半導體原材料沒什麼可說的，由於晶元主要基於單晶硅，即載體，因此全球所有材料製造商都在圍繞基於硅的晶元開展業務，盡管我們的國內材料領域不是優勢，但我們也取得了一些明顯的突破，例如，國內高端光刻膠的誕生一舉打破了外國的壟斷，對於設備而言，這甚至更為重要，因為如果沒有相關設備的支持，就無法製造晶元，對於更核心的半導體設備，大多數人必須第一次想到光刻機。
❻ 為什麼中國的5納米刻蝕機不能突破華為的晶元壓制eimkt
中國目前還沒有生產出五納米刻蝕機，而且華為晶元從設計到製造都需要國外的技術和設備，並不是只缺一台光刻機。
❼ 中國的光刻機達到了世界先進水平，但為何生產高端晶元依然困難重重
018年12月，中微半導體設備（上海）有限公司自主研製的5納米等離子體刻蝕機經台積電驗證，性能優良，將用於全球首條5納米製程生產線。5納米，相當於頭發絲直徑（約為0.1毫米）的二萬分之一，將成為集成電路晶元上的最小線寬。台積電計劃2019年進行5納米製程試產，預計2020年量產。▲半導體器件工藝製程從14納米微縮到5納，等離子蝕刻步驟會增加三倍
刻蝕機是晶元製造的關鍵設備之一，曾一度是發達國家的出口管制產品。中微半導體聯合創始人倪圖強表示，中微與科林研發(Lam
Research)、應用材料(Applied Materials)、東京威力科創(Tokyo Electron
Limited）、日立全球先端科技 (Hitachi High-Technologies)
4家美日企業，組成了國際第一梯隊，為7納米晶元生產線供應刻蝕機。中微半導體如今通過台積電驗證的5納米刻蝕機，預計能獲得比7納米更大的市場份額。
中科院SP超分辨光刻機
提問者所說的中國光刻機達到世界先進水平，應該是指2018年11月29日通過驗收的，由中國科學院光電技術研究所主導、經過近七年艱苦攻關研製的「超分辨光刻裝備」項目。
該項目下研製的這台光刻機是「世界上首台分辨力最高的紫外(即22納米@365納米)超分辨光刻裝備」。這是一種表面等離子體（surfaceplasma，SP）超分辨光刻裝備。
▲中科院SP光刻機加工的樣品
然而，此次驗收合格的中科院光電技術研究所的這台表面等離子超衍射光刻機（SP光刻機）的加工精度與ASML的光刻機沒法比。沒法用於刻幾十納米級的晶元，至少以現在的技術不能。
據光電所專家稱，該所研製成功的這種SP光刻機用於晶元製造上還需要攻克一系列的技術難題，目前距離還很遙遠。也就是說中科院研製的這種光刻機不能（像一些網媒說的）用來光刻CPU。它的意義是用便宜光源實現較高的解析度，用於一些特殊製造場景，很經濟。
總之，中科院的22納米解析度光刻機跟ASML壟斷的光刻機不是一回事，說前者彎道超車，就好像說中國出了個競走名將要超越博爾特。
顯然，中科院研製成功的這台「超分辨光刻裝備」並不能說明我國在市場主流的的光刻機研製方面已經達到了世界先進水平，那麼現階段我國的光刻機的真實水平又是怎樣的呢？且看以下對比。
❽ 我國已研發出5nm光刻技術，該技術能否真正投入生產使用
就是最近我們國家的中科院在5納米激光光刻的技術上面有了成功的突破，不過這個消息出來以後，有的媒體對這件事情解讀就太過於荒誕了，在這里有必要要說清楚一些情況。
另外還有一點就是媒體錯誤理解了一個概念，那就是中科院突破的5nm狹縫電極並不是晶元製造的都所有技術，這是一天很漫長的道路，而且激光光刻機用於工業上面也不合適，只適合用來做實驗。打個比方把晶元當成一個圖片還看待的話，那麼euv的光刻機是可以一次拍照成型，可是激光光刻機復雜程度就高了許多，還需要一條條按照線路來刻。因此在效率上來說根本不適合在工業生產之上使用。
因此中科院這一次技術突破不會對半導體產業有太大的影響，不過蚊子再小也是肉，也能作為一個技術儲備，將來能夠用作研發經驗來便於新的技術開發。因此投入生產使用現在來說是不可能的。
❾ 中國的光刻機是什麼水平與世界先進還有多大差距如何追趕
中國光刻機距離世界先進水平，還有較大的差距。
第一，目前全球最先進的光刻機，已經實現5nm的目標。這是荷蘭ASML實現的。
而ASML也不是自己一家就能夠完成，而是國際合作才能實現的。其中，製造光源的設備來自美國公司；鏡片，則是來源於德國的蔡司公司等。這也是全球技術的綜合作用。
有關報道中的「全新的技術」，也就是中國科研工作者在關鍵部件完全國產化情況下，實現的這一次技術突破
中國和世界頂尖光刻機製造還有很大差距。
華為麒麟受制於人，中芯國際不堪大用，澎湃晶元久不見進展，虎憤晶元勉強能用。
實用更是有很遠的路要走。
大家放平心態。