㈠ sk海力士是哪个国家的
SK hynix公司（中文简称：SK海力士）是一家半导体制造商，世界第二大内存芯片制造商，成立于1983年2月，总部位于韩国京畿道[1]。
公司原名为现代内存，于1996年上市，2012年被韩国第三大财阀SK集团收购部分股份后，更名为SK hynix。
2019年2月，公司已提交了投资意向书，计划在韩国建设一个半导体工业区。公司计划在2022年之后的10年里投资120万亿韩元（1066.6亿美元），在首尔以南40公里的龙仁市新工业区建设四座晶圆厂。[2]
2013年11月15日海力士在无锡增资25亿美元，此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升 至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。
2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知。
2012年02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix，更名SKhynix。
2009年05月 成立中国无锡市后续工程合作社
04月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
03月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证
02月世界最先开发44nm DDR3 DRAM
01月 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证。
2008年 12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM
11 月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
08月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM
为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大
05月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案
04月 为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2
02月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
㈡ 海力士跟现代是什么关系啊
你好哥们，是说内存品牌吧，现代2001年更名为海力士，以哥们的理解就是现代（半导体公司）内存品牌名称更名为海力士（半导体公司）内存品牌，所以时下我们仍可见到海力士内存采用HY（现代内存颗粒原名），所以说它们的关系就是一个公司的，只是随着时间更名了一次，现在是海力士名称了，谢谢！
㈢ hynix是什么牌子
Hynix是海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。
海力士半导体（中国）有限公司是由全球半导体领头企业之一的韩国SK海力士株式会社于2005年4月投资设立的半导体制造工厂，主要生产12英寸半导体集成电路芯片，应用范围涉及个人电脑、服务器、移动存储等领域。
海力士半导体（中国）有限公司在锡进行了多次增资及技术升级，累计投资额达105亿美元。公司一直致力于打造世界第一的半导体生产基地，与此同时，认真履行企业的社会职责，积极参与公益事业，为社会谋求福利。
(3)sk海力士的股票代码扩展阅读：
产品介绍
2008年11月，SK海力士发表了1Gb GDDR5 Graphics DRAM。新发表的1Gb GDDR5是以SK海力士的54nm处理技术为基础所开发的产品。
1Gb GDDR5 实现了7Gbps的速度或28GB/s的处理量，较5Gbps的66nm GDDR5改善了40%，与此同时， 1Gb GDDR5利用1.35V的观点装置，在设计上将耗电量降低。SK海力士还支援高性能及主流市场用GDDR3、DDR3、DDR2产品。
SK海力士的DDR3 SDRAM属于高性能，低耗电量产品。DDR3 SDRAM能够以最大1.6Gb/s的速度传送数据，运行电压为1.5V。目前，SK海力士提供具有1Gb及2Gb集成度高的高性能DDR3，4Gb产品已于2012年投入量产
㈣ 什么是sk韩国的sk集团是干嘛的
一、SK是韩国第三大跨国集团企业，在2019年时成功进入福布斯全球百强。
二、韩国sk集团主要从事韩国能源化工、信息通信两方面的行业。1983年在国外开发油田，让韩国进入了石油产国的行列。
1989年在美国经营移动电话事业。在韩国国内成立YC&C、鲜京信息系统、鲜京流通、大韩电信等公司。拥有了跨越无线、互联网、ICP领域的事业能力，等技术投资。
1996年，SK首次成功实现了CDMA的商用，并首次推广2.5代CDMA 2000 1X服务和3代同步方式IMT-2000等移动通信。
(4)sk海力士的股票代码扩展阅读：
SK及其附属机构在全球拥有 30,000 多名员工、124 个办事处和子公司。世界五百强排名第57位，年销售收入808亿美元。
在2013年《财富》杂志的全球500强排名上，SK位居第57位。SK集团的中国事业始于1992年中韩建交之前。SK在中国员工超过1万人，业务区域遍布全国约40个地区。
在能源领域，SK是韩国最大的综合能源化工企业。蔚山炼油厂拥有每年4200万吨原油加工能力，是全球同行业最大的单一炼油工厂之一。
SK在节能、环保、运营方面的管理技术得到国际同行的认可，多年来连续被世界炼油业权威评估机构索罗门评为全球石化行业效率最高的企业。
SK的前身为1953年成立的鲜京织物。SK三次巨大的飞跃过程。第一次是1953年至60年代，SK经历了由织物跨越到了聚酯原丝的生产。
第二次是70年代到80年代，SK完成了从石油到纤维的纵向整合。90年代进军通信信息行业，应该是SK的第三次飞跃。
旗下企业
SK新技术、SK能源、SK综合化学、SK Iubricants、SK化工、SKC、SK汇能、SK燃气、SK润滑油
SK电讯、SK C&C、SK Planet、SK海力士、SK broadband、SK telesys、SK telink、SK实业、
SK建设、SK海运、SK证券、SK M&C、SK中国、SK置业发展状况。
参考资料：网络——韩国SK集团
㈤ 海力士的发展过程
2013年11月15日海力士在无锡增资25亿美元，此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升 至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。
2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知。
2012年02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix，更名SKhynix。
2009年05月 成立中国无锡市后续工程合作社
04月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
03月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证
02月世界最先开发44nm DDR3 DRAM
01月 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证。
2008年 12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM
11 月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
08月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM
为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大
05月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案
04月 为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2
02月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
01月 签署关于在对下一代不挥发性存储器技术的共同R&D程序上进行合作的合同
2008年发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证
2007年12月成功发行国际可兑换券(global convertible notes)
11月WTO做出判决海力士进口芯片相关报复性关税一案，日本败诉。与SiliconFile公司签署CIS事业合作协议，获得对 1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证，业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM
10月与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证合同与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的合同
09月以24层叠芯片(stacked chips)，世界最先开发NAND闪存MCP
08月开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
07月发表企业中长期总体规划
05月业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证
04月DOC H3开始大量生产在韩国清州300mm设施开工实现最高水平的营业利润率
03月开发出世界最高速ECC Mobile DRAM发表“生态标记(ECO Mark)”与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同
与SanDisk就特许商户许可证合同达成协议及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)金钟甲就任新任 代表理事、社长
01月开发出以“晶圆级封装(Wafer Level Package)”技术为基础的超高速存储器模块
2006年创下最高业绩及利润
2006年12月业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块，开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
10月创下创立以来最高业绩，通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网络
09月300mm研究生产线下线
03月业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证
01月发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)
2005年12月 世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM
11月 业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM
07月 提前从企业重组完善协议中抽身而出
04月 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼
03月 发布2004年财务报表，实现高销售利润
01月 与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议
2004年11月 与意法半导体公司（STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议
08月 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议
07月 获得公司成立以来最大的季度营业利润
06月 签订非内存事业营业权转让协议
03月 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证
02月 成功开发NAND闪存
2003年12月 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU
08月 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。
07月 宣布在世界上首次发表DDR500
06月 512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证
05月 采用0.10微米工艺技术投入生产，超低功率256Mb SDRAM投入批量生产
04月 宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存
03月 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM
2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD业务部门
10月 开发0.10微米、512MB DDR
08月 在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDR SDRAM
06月 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户
03月 开发1G DDR DRAM模块
2001年08月 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
08月 完成与现代集团的最终分离
07月 剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’
05月 剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’
剥离网络业务‘Hyundai Networks’
03月 公司更名为“Hynix半导体有限公司”
2000年08月 剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’
04月 剥离电子线路设计业务‘Hyundai Autonet’
1999年10月 合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社
03月 出售专业的半导体组装公司（ChipPAC）
1998年09月 开发64M的DDR SDRAM
1997年05月 在世界上首次开发1G SDRAM
1996年12月 公司股票上市
1989年11月 完成FAB III
09月 开发4M的DRAM
1988年11月 在欧洲当地设立公司（HEE）
01月 开发1M的DRAM
1986年06月 举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical”
04月 设立半导体研究院
1985年10月 开始批量生产256K的DRAM
1984年09月 完成FAB II-A
1983年02月创立现代电子株式会社，公司概要展望商业领域主要历程可持续经营，持续经营报告书伦理经营，伦理经营宣言伦 理纲领组织介绍实践体系产业保安方针在线举报公司标志
㈥ 长鑫存储股票代码是什么
经查询，该企业为有限责任公司，未进行过股改，即没有上市，且在可以预见的一两年间不具备上市条件。查询上市公司的股票代码，登陆证券类网站进行查询即可。查询时股票XD表示股票除息，股票XD表示从当日买带有XD字样的股票，自当日起不会再享有派息的权利。一个公司的股票估值，可以认为跟是否上市没有关系，该值多少钱，还是多少钱，上市只是增加了流动性。况且牛市会溢价，熊市会负溢价。股票代码前需加上XD字样，股票XD是Ex-Dividend的缩写，股票XD表示股票除息，股票XD表示从当日买带有XD字样的股票，自当日起不会再享有派息的权利。在股票除息日的当天，股价的基准价要比前一个交易日的收盘价要低，原因是从中扣除了利息这一部分的差价。
拓展资料：
1、长鑫存储技术有限公司公布其最新的DRAM技术路线图，将采用19nm工艺生产4Gb和8GbDDR4，长鑫月产能约为2万片，规划到2020年底晶圆月产能将达12万片。另外，长鑫存储计划再建两座DRAM晶圆厂。从长鑫存储DRAM技术发展的路线规划来看，其研发的产品线包括DDR4，LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6，产品发展线路与三星、SK海力士、美光等国际大厂DRAM发展大体一致。天风证券潘_认为，5G的快速发展为半导体行业带来巨大发展机遇，车用半导体、IoT和摄像头带来新增长点。另外，整机厂商供应链的国产化，也为半导体产业带来市场空间。
2、长鑫存储技术有限公司于2017年11月16日成立。法定代表人赵纶,公司总部在合肥，公司经营范围包括：存储技术服务；集成电路设计、制造、加工、技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务、技术培训及技术检测；电子产品销售并提供售后服务及技术服务；半导体集成电路芯片研发、设计、委托加工、销售；计算机软硬件及网络软硬件产品的设计、开发；计算机软硬件及辅助设备、电子元器件、通讯设备的销售；设备、房屋租赁；产业并购；股权投资；自营和代理各类商品和技术的进出口业务（但国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外）等。
㈦ skhynix是什么牌子
skhynix是SK海力士半导体(中国)有限公司，SKHynix的内存芯片是知名品牌。
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。
无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。
常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。
介绍：
物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性差的材料，如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。
与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。
㈧ SK海力士半导体（中国）有限公司怎么样
简介：SK海力士半导体（中国）有限公司于2005-04-26在无锡市新吴区市场监督管理局登记成立。法定代表人朴星昱（PARKSUNGWOOK），公司经营范围包括生产、加工和销售8英寸和12英寸集成电路芯片等。
法定代表人：朴星昱（PARK SUNG WOOK）
成立时间：2005-04-26
注册资本：294586万美元
工商注册号：320200400012736
企业类型：有限责任公司(外国法人独资)
公司地址：中国江苏省无锡高新区综合保税区K7地块
㈨ 芯片材料龙头股票有哪些
1、江化微：公司G3等级硫酸、过氧化氢、异丙醇、低张力二氧化硅蚀刻液、钛蚀刻液成功进入国内6寸晶圆、8寸先进封装凸块芯片生产线，实现进口替代。公司在上述领域取得了先发优势，为公司带来一定的价格优势和更多业务机会。
2、鼎龙股份：2017年12月19日消息，鼎龙股份CMP抛光垫已进入客户供应体系，据了解，CMP抛光垫是晶圆制造的关键材料，较为广泛地应用于集成电路芯片、蓝宝石芯片等加工领域。
3、北方华创：公司从事基础电子产品的研发、生产、销售，主要产品为大规模集成电路制造设备、混合集成电路及电子元件。公司做为承担国家电子专用设备重大科技攻关任务的骨干企业，是目前国内唯一一家具有8英寸立式扩散炉和清洗设备生产能力的公司。公司的战略定位是以集成电路制造工艺技术为核心，不断培育集成电路装备的竞争能力，向集成电路、太阳能电池、TFT-LCD和新型电子元器件等领域作产品拓展。
4、有研新材：2019年9月17号公司在互动平台称：公司在芯片材料的国产化替代及前沿新材料的研发方面与华为开展合作。
5、雅克科技：2017年10月18日晚发布公告称，公司拟以发行股份的方式，收购成都科美特特种气体有限公司90%股权、江苏先科半导体新材料有限公司84.825%股权，交易总对价为24.67亿元。通过此次收购，雅克科技有望纳入韩国UPChemical公司。资料显示，江苏先科于2016年6月由雅克科技出资1000万元设立，本身无经营业务，是为收购韩国UPChemical公司股权所搭建的收购平台。去年底，江苏先科已完成了韩国UPChemical公司96.28%股份的收购。韩国UPChemical公司成立于1998年，主要从事生产专业化、高附值的旋涂绝缘介质和半导体材料前驱体这一细分领域。主要下游为半导体存储器芯片，其Hi-K等半导体材料领域占据全球领先地位。产品主要供应于SK海力士、三星电子等知名半导体企业。