❶ 中国有了5nm的光刻机为什么还要进口14nm光刻机
各有各的用途，制造成本不同。
❷ 我国的光刻机5纳米生产技术要多久才能突破
月初一条“中科院5nm激光光刻技术突破”的新闻火了，在很多无良自媒体的口中这则新闻完全变了味，给人的感觉像是中国不久将会拥有自己的5nm光刻机，其实真实情况完全不是一回事。下面我们就来谈谈这则新闻真实的内容到底是什么，以及中国光刻机5nm生产技术还要多久才能取得突破。
中国和荷兰ASML的差距最起码也在十年以上现在国内最好的光刻机生产企业应该是上海微电子，目前生产的最好光刻机也只是90nm的制程。尽管有传言说上海微电子明年将会推出28nm的全新光刻机，但是和ASML的EUV光刻机精度依旧相差甚远。中国想要生产5nm的光刻机有一个最大的难点，就是自主研发。这不光意味着我们需要跨越从28nm到5nm这个巨大的障碍，并且在突破的过程中最好不要使用其他国家的专利，只能发展出一条属于自己的光刻机道路。需要达成这么多的条件，研发的难度可想而知。总的来说短时间内我国的光刻机技术取得重大突破的概率为0，还是要被人牵着鼻子走。落后就要被挨打卡脖子在任何时候都是真理，只希望我们国家的科研人员能够迎头赶上，尽快取得突破吧。
❸ 5nm激光光刻技术，是否预示着我们即将能取代ASML
5nm激光光刻技术，这只是一种停留在理论阶段的技术，并没有预示着我们即将能取代ASML。
最近ASML拒绝向中芯国际交付最新的光刻机，以及美国制裁华为一事，在网上引发了极大的热议，这也让很多中国人明白了一个道理，只有掌握了核心科技，才能不受制于人。今日，中科院5nm激光光刻技术的研究发布以后，很多人都为之欢呼，认为我们即将能取代ASML。那么，事实真的如此吗？答案当然是否定的。
然后，这篇论文中的方法是通过使用新型 5 nm 超高精度激光光刻加工方法。然而，论文中并没有论证方法的可行性，至于在现实中是否可行，我们仍然不得而知，一些国内的媒体听风就是雨，也实在是有些可笑。一台光刻机由80000个精密零部件构成，如德国蔡司的光学镜头、美国的激光发生器，这些都是目前我们中国目前无法制造出来的。我国的光刻机技术难以突破，不仅是激光光刻加工的方法上，还有其他各种零件的限制，单晶炉，晶圆划片机，光刻胶，电子级多晶硅，氟聚酰亚胺等等，这些都是被国外垄断的东西，由于其他国家的封锁，中国想要获得这些东西，并不容易，毕竟中国还没有能力制造出这些东西。
总而言之，5nm激光光刻技术，并没有预示着我们即将能取代ASML。
❹ 中国突破光刻机意味着什么
光电所微细加工光学技术国家重点实验室研制出来的SP光刻机是世界上第一台单次成像达到22纳米的光刻机，结合多重曝光技术，可以用于制备10纳米以下的信息器件。这不仅是世界上光学光刻的一次重大变革，也将加快推进工业4.0，实现中国制造2025的美好愿景。
在技术方面，ASML光刻机可以使用波长为13.5纳米的极紫外光(EUV)，实现14纳米、10纳米、和7纳米制程的芯片生产，而通过技术升级，也可以实现9纳米，8纳米，6纳米，5纳米，4纳米乃至3纳米等制程的芯片生产。据悉，台积电购买了ASML的两台NXE 3300B(后来在ASML的帮助下升级到与NXE 3350B相同的技术水平)，三星也从ASML采购EUV设备，NXE 3350B和最新的NXE3400光刻机，英特尔同时也采购了数台NXE 3350B。而且NXE 3350B EUV极紫外光刻机主要被用来进行7nm的相关测试和试产。在今年4月，台积电就已经开始代加工其7nm制程的芯片产品，三星在近期推出8nm制程的产品，而英特尔可能生产10nm工艺的产品。从中可以看出，ASML的EUV光刻机成为了他们能否快速实现更低纳米制程量产计划的基础和关键，不管三星、英特尔、台积电围绕着具体制程工艺如何去竞争，ASML终究是背后最大霸主，最大赢家，因为他们谁都离不开他的EUV光刻机。
❺ 2000万一台，这才是国之重器，台积电5nm的必需设备，什么情况
在半导体行业中，如果一家公司想占据领先地位，则技术，材料和设备这三个关键因素必不可少，如果只有技术而没有材料和设备的支持，那么这只是纸上谈兵，反之亦然，毫无疑问，着眼于著名的芯片巨头，他们在这三个方面都有发言权，因此他们可以占领大部分市场，半导体原材料没什么可说的，由于芯片主要基于单晶硅，即载体，因此全球所有材料制造商都在围绕基于硅的芯片开展业务，尽管我们的国内材料领域不是优势，但我们也取得了一些明显的突破，例如，国内高端光刻胶的诞生一举打破了外国的垄断，对于设备而言，这甚至更为重要，因为如果没有相关设备的支持，就无法制造芯片，对于更核心的半导体设备，大多数人必须第一次想到光刻机。
❻ 为什么中国的5纳米刻蚀机不能突破华为的芯片压制eimkt
中国目前还没有生产出五纳米刻蚀机，而且华为芯片从设计到制造都需要国外的技术和设备，并不是只缺一台光刻机。
❼ 中国的光刻机达到了世界先进水平，但为何生产高端芯片依然困难重重
018年12月，中微半导体设备（上海）有限公司自主研制的5纳米等离子体刻蚀机经台积电验证，性能优良，将用于全球首条5纳米制程生产线。5纳米，相当于头发丝直径（约为0.1毫米）的二万分之一，将成为集成电路芯片上的最小线宽。台积电计划2019年进行5纳米制程试产，预计2020年量产。▲半导体器件工艺制程从14纳米微缩到5纳，等离子蚀刻步骤会增加三倍
刻蚀机是芯片制造的关键设备之一，曾一度是发达国家的出口管制产品。中微半导体联合创始人倪图强表示，中微与科林研发(Lam
Research)、应用材料(Applied Materials)、东京威力科创(Tokyo Electron
Limited）、日立全球先端科技 (Hitachi High-Technologies)
4家美日企业，组成了国际第一梯队，为7纳米芯片生产线供应刻蚀机。中微半导体如今通过台积电验证的5纳米刻蚀机，预计能获得比7纳米更大的市场份额。
中科院SP超分辨光刻机
提问者所说的中国光刻机达到世界先进水平，应该是指2018年11月29日通过验收的，由中国科学院光电技术研究所主导、经过近七年艰苦攻关研制的“超分辨光刻装备”项目。
该项目下研制的这台光刻机是“世界上首台分辨力最高的紫外(即22纳米@365纳米)超分辨光刻装备”。这是一种表面等离子体（surfaceplasma，SP）超分辨光刻装备。
▲中科院SP光刻机加工的样品
然而，此次验收合格的中科院光电技术研究所的这台表面等离子超衍射光刻机（SP光刻机）的加工精度与ASML的光刻机没法比。没法用于刻几十纳米级的芯片，至少以现在的技术不能。
据光电所专家称，该所研制成功的这种SP光刻机用于芯片制造上还需要攻克一系列的技术难题，目前距离还很遥远。也就是说中科院研制的这种光刻机不能（像一些网媒说的）用来光刻CPU。它的意义是用便宜光源实现较高的分辨率，用于一些特殊制造场景，很经济。
总之，中科院的22纳米分辨率光刻机跟ASML垄断的光刻机不是一回事，说前者弯道超车，就好像说中国出了个竞走名将要超越博尔特。
显然，中科院研制成功的这台“超分辨光刻装备”并不能说明我国在市场主流的的光刻机研制方面已经达到了世界先进水平，那么现阶段我国的光刻机的真实水平又是怎样的呢？且看以下对比。
❽ 我国已研发出5nm光刻技术，该技术能否真正投入生产使用
就是最近我们国家的中科院在5纳米激光光刻的技术上面有了成功的突破，不过这个消息出来以后，有的媒体对这件事情解读就太过于荒诞了，在这里有必要要说清楚一些情况。
另外还有一点就是媒体错误理解了一个概念，那就是中科院突破的5nm狭缝电极并不是芯片制造的都所有技术，这是一天很漫长的道路，而且激光光刻机用于工业上面也不合适，只适合用来做实验。打个比方把芯片当成一个图片还看待的话，那么euv的光刻机是可以一次拍照成型，可是激光光刻机复杂程度就高了许多，还需要一条条按照线路来刻。因此在效率上来说根本不适合在工业生产之上使用。
因此中科院这一次技术突破不会对半导体产业有太大的影响，不过蚊子再小也是肉，也能作为一个技术储备，将来能够用作研发经验来便于新的技术开发。因此投入生产使用现在来说是不可能的。
❾ 中国的光刻机是什么水平与世界先进还有多大差距如何追赶
中国光刻机距离世界先进水平，还有较大的差距。
第一，目前全球最先进的光刻机，已经实现5nm的目标。这是荷兰ASML实现的。
而ASML也不是自己一家就能够完成，而是国际合作才能实现的。其中，制造光源的设备来自美国公司；镜片，则是来源于德国的蔡司公司等。这也是全球技术的综合作用。
有关报道中的“全新的技术”，也就是中国科研工作者在关键部件完全国产化情况下，实现的这一次技术突破
中国和世界顶尖光刻机制造还有很大差距。
华为麒麟受制于人，中芯国际不堪大用，澎湃芯片久不见进展，虎愤芯片勉强能用。
实用更是有很远的路要走。
大家放平心态。